我科研团队取得场效应储能芯片研究新进展

每日快讯6月4日，记者从武汉理工大学获悉，麦教授团队在场效应储能芯片研究方面取得新进展，相关成果发表在《细胞》杂志子刊《化学》上在储能芯片领域，团队设计并构建了第一个单纳米线电化学储能器件，实现了单纳米元电化学储能器件从0到1的突破，进而开发了多点接触式等10套单纳米元微纳电化学器件

这一开创性成果受《自然》杂志邀请，发表了第一部以单根纳米线电化学器件为代表的电池退化实时监测专著这是该团队在储能芯片领域的又一突破

据介绍，储能芯片是支撑车联网，智慧农业，医疗无线监控等技术发展的核心器件而储能芯片的能量密度较低，缺乏对材料费米表面结构和电化学反应规律的研究，难以对其性能进行调制和优化

本研究提出了调制材料费米能级结构实现储能芯片性能倍增的新思路通过设计和构建场效应储能芯片，实现电化学条件下材料费米表面梯度的原位调控和性能提升研究表明，通过原位构建梯度费米表面结构，可以拓宽储能材料的嵌入能级施加场效应后，离子迁移率提高10倍，材料容量提高3倍以上

该研究成果解决了费米表面梯度对电化学反应影响机理不清的科学难题，实现了纳米线容量和反应电位的协同提升，填补了场效应储能芯片领域的空白，为储能芯片在物联网等领域的应用奠定了科学基础。