2022-12-18 17:39:20 来源:IT之家 阅读量:11984
在最近的IEDM 2022上,英特尔发布了多项突破性的研究成果,并给出了最新的路线图,强调该公司正在保持快节奏,他们不仅要保持正轨,还要加快交付时间。
按照英特尔的术语,后纳米时代的突破点是艾米,即十分之一纳米他们将2纳米以下的工艺节点命名为20A和18A,并将推出/首批使用ASML的高NA EUV器件
简单来说,Intel 20 A工艺计划在2024年上半年进入风险试产阶段,而18A工艺将在2024年下半年准备就绪。
此外,英特尔还证实,其即将推出的Intel4工艺已经做好生产准备。
值得注意的是,该公司提到节点准备生产的过程对应于他们预计该过程处于风险生产状态的时间线这意味着Intel 4现在处于风险试产状态
也就是说,这可能意味着下一代流星湖不会像某些小道消息说的那样要等到2024年,它会在2023年的某个时候到来。
公司还透露,18A工艺方案将于2024年2月进入风险试生产阶段。
此外,英特尔还证实,其20A工艺将同时引入RibbonFET和PowerVias技术。
本站科普:RibbonFET是环栅或纳米晶体管结构,有望像FinFET一样扩展摩尔定律,而PowerVia是后端功率传输技术两者结合必然会带来可观的技术创新
英特尔技术开发部总经理Ann B Kelleher说:
摩尔定律是关于功能创新的整合当我们展望未来10年到20年时,将会有一条充满创新的道路
当被问及在20A工艺中向RibbonFET和PowerVias技术过渡,并考虑到公司在10nm工艺中的失误所带来的潜在风险时,Ann Kelleher表示:
这些不需要立即完成,但我们看到了转移到PowerVia以支持RibbonFET技术的显著优势,...这非常成功,使我们能够加快开发工作。
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